扩散炉炉体的相关操作

扩散炉炉体可以完全由进口炉替代，优质加热炉丝，进口绝缘材料，采用国外先进的加工工艺，该炉可在高温下使用，处理12英寸以下的硅，工作温度2000至1286年。扩散炉炉体用于大规模集成电路，分立器件，电力电子，光电器件和光纤的扩散，氧化，退火，合金化和烧结工艺。扩散过程的主要目的是通过将元素磷和硼扩散到硅晶片中来在高温条件下掺杂半导体晶片，以改变和控制半导体内的杂质的类型，浓度和分布，以便建立不同的电特性使用低压气氛的新低压磷扩散可以在小化对环境的影响的同时，实现更好的箱体阻力均匀性和更大的生产量。氧化工艺是将硅表面在高温下与氧化剂反应，生长一层二氧化硅薄膜。氧化方法是干氧和湿氧，湿氧，包括水蒸汽氧化和氢气和氧气的合成两种。

一、使用扩散炉炉体的注意事项：      

a：烘扩散炉炉体通蒸汽时必须先脱水，缓慢进行，防止水击。      

b：扩散炉炉体的炉膛分别升至150℃、320℃时恒温，目的是脱除吸附水和结晶水。      

c：烘扩散炉炉体过程中要加强检查，升温要匀速缓慢，严格按烘扩散炉炉体升温曲线进行，发现异常现象立即请示处理。 

二、对扩散炉炉体的烘热后的检查：      

a：检查各部砌砖有无裂缝，耐火衬里有无脱落，钢架、吊挂有无弯曲变形，炉管有无变形，基础有无下沉等。      

b：如果耐火衬里表面脱落深度超过15mm，或脱落深度达到耐火层厚度的五分之一时，需要进行凿洞修补。      

c：如果耐火衬里出现大于3mm的皲裂，如何处理由设计单位研究决定。     

d：扩散炉炉体的炉膛在烘扩散炉炉体前放的砖样进行取样分析水份，低于7％为合格，等待正常开工。