现在联系LED合金炉炉特点 ： 关键件全部采用进口件，具有高可靠性 具有可编程的升、降温功能 具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能。 具有高抗干扰能力 具有多种工艺管路，可供用户随意灵活配置 ★ 育豪可为您提供斜滚式推拉舟系统，石英双杆推拉舟系统及SiC浆推拉舟系统。★可配工艺管数

现在联系砷化镓VGF单晶炉产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓等化合物晶体的生长产品特点： 工业计算机控制系统（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁） 关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性 控温精度高，温区控温稳定性好 具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能 晶体生长均匀性

现在联系砷化镓多晶合成炉VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点：★用于GaAs等化合物晶体的生长 ★按结构形式:垂直生长,水平生长★按生长方式:梯度生长及移动生长 ★晶体生长尺寸:：2-6寸★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB ★提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设

现在联系磁性材料真空烧结炉主要技术指标：钐钴退火每炉15-150公斤，烧结每炉35公斤工作温度及均匀度：1000℃/1250℃±1.5℃真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(烧结)满足工艺要求的均匀升温、冷却控制方式：触摸屏、工控机型号：VTO-250（烧结）/VTO-400（退火）

现在联系气冷炉体专利技术特点优势：可实现温度快速冷却。1100-800℃-7-10 ℃的降温速率，大大缩短生产工艺时间，提高生产效率，解决常规水冷系统的能耗因水垢堵塞弊端。

现在联系LPCVD扩散炉一. 设备概述：LPCVD低压化学气相淀积是半导体集成电路制造的重要工序之一，本设备主要用于：4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体（或者液态源气化）用热能激活发生化学反应而在基片

现在联系立式炉专用加热炉体全系列半导体及光伏行业立式扩散炉等热处理设备的高质量加热炉体热场，满足6寸以上晶圆及电池片制造工艺，独有的自动化制作工艺技术，专业的生产制造理念，造就加热炉所具

现在联系链式隧道炉一、产品描述：设备是通过热的传导、对流完成对工件的热处理等工艺生产，设备可根据生产工艺的要求设计设备的长度等结构，炉膛内有一条连续运行的输送系统，工件通过输送网带运行于炉膛工作室内，完成工件的相关热处理生产，该设备连续式生产，生产效率高、节省人力、一致性高。二、指标参数：1、额定