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扩散炉
    • 磁性材料真空烧结炉

      现在联系磁性材料真空烧结炉主要技术指标:钐钴退火每炉15-150公斤,烧结每炉35公斤工作温度及均匀度:1000℃/1250℃±1.5℃真空度:5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(烧结)满足工艺要求的均匀升温、冷却控制方式:触摸屏、工控机型号:VTO-250(烧结)/VTO-400(退火)

    • LPCVD扩散炉

      现在联系LPCVD扩散炉一. 设备概述:LPCVD低压化学气相淀积是半导体集成电路制造的重要工序之一,本设备主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片

    • 程控扩散炉

      现在联系程控扩散炉产品说明:扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业,对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。主要技术指标:★可处理硅片尺寸:2—8英寸★外型形式:卧式1—4

    • 太阳能扩散炉

      现在联系太阳能扩散炉工作温度: 300~1200℃有效口径根据用户扩散片确定,可订制恒温区长度: 920mm-1350mm(可根据用户要求定制)温区精度 (静态闭管测试): 600℃<工作温度<1200℃: ±0.5℃ 300℃≤工作温度≤600℃: ±1℃单点温度稳定性(静态闭

    • 高温扩散炉

      现在联系高温扩散炉一.设备概述: 高温扩散炉采用电脑工控机软件控制方式,该设备主要在高温1300℃状态下用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、烧结等工艺。设备主要适合于4-6英寸工艺硅片的处理二.设备主要特点和优势 1★具有强大的软件功能,友好的人机界面,用户可以

    • 光伏扩散炉

      现在联系光伏扩散炉工作温度: 300~1200℃有效口径根据用户扩散片确定,可订制恒温区长度: 920mm-1350mm(可根据用户要求定制)温区精度 (静态闭管测试): 600℃<工作温度<1200℃: ±0.5℃ 300℃≤工作温度≤600℃: ±1℃单点温度稳定性(静态闭

    • 全自动扩散炉

      现在联系全自动扩散炉功能特点: 扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。★全中文windows操作界面,可编辑参数,操作方便。 ★可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步。★工艺曲线的

    • 氧化扩散炉

      现在联系氧化扩散炉一.设备概述: 本设备主要用于集成电路、电力电子等行业的电子专用设备,将3-6英寸硅片在通氧气的状态下高温热处理,在硅片表面形成氧化膜的过程,氧化工艺是集成电路工艺中应用最广泛的基础工艺之一,氧化膜的用途广泛,可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层(损伤缓冲层)、表面钝化、绝缘栅材料

    • 立式真空扩散炉

      现在联系立式真空扩散炉本设备主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件熔化焊接来进行的生产、扩散、烧结、以及热处理退火等工艺操作。主要技术指标: 方式:立式、环壁加热,钟罩升降式,丝杠上下传送料,自动升降送料,真空室内配有工件支架可处理硅片尺寸:2-8英寸恒温区长度:400-800mm工作温度:400

    • 卧式真空扩散炉

      现在联系卧式真空扩散炉一.设备概述: 真空扩散炉水平对置采用电脑工控机软件控制方式,大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的3-6英寸工艺硅片在真空状态下的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。 二.设备参数类型: 方式:左/右手操作方式,大工作台面(侧面采用高效净化)可配工艺管

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