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砷化镓设备

砷化镓单晶炉

砷化镓单晶炉
产品详情:

VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点:

★用于GaAs等化合物晶体的生长         

★按结构形式:垂直生长,水平生长

★按生长方式:梯度生长及移动生长        

★晶体生长尺寸::2-6寸

★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

★提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。

主要技术指标:

★结构型式:单管水平式,加热炉体可左右移动    

★适合2~4″晶体生长工艺(可定制)。

★炉体有效加热长度:1600mm            

★最高工作温度:1300℃

★恒温区精度(静态闭管):±0.5℃

★升温速率(室温~1260℃):斜变升温速率可控在0~15℃/min

★降温(1300℃~900℃):0~5℃/min         

★供电电源:三相五线~380V±10% ,50Hz

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