扩散炉的名词知识你知道吗？

        扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

        扩散现象是指物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移直到均匀分布的现象，速率与物质的浓度梯度成正比。扩散是由于分子热运动而产生的质量迁移现象，主要是由于密度差引起的。分子热运动目前认为在绝 对零度不会发生。扩散现象等大量事实表明，一切物质的分子都在不停地做无规则的运动。

        光生伏特 效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。 光生伏特 效应可被用来制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器，侧向光生伏特 效应（即殿巴效应）可被用于制作半导体位置敏感器件（如反转光敏二极管）传感器，p-n结光生伏特 效应可被用于制作太阳能电池、光敏二极管和光敏三极管传感器。

        太阳能电池发电的原理是基于半导体的光生伏特 效应将太阳辐射直接转换为电能。在晶体中电子的数目总是与核电荷数相一致，所以p型硅和n型硅对外部来说是电中性的。如将p型硅或n型硅放在阳光下照射，仅是被加热，外部看不出变化。尽管通过光的能量电子从化学键中被释放，由此产生电子－空穴对，但在很短的时间内（在μS范围内）电子又被捕获，即电子和空穴“复合”。

        在半导体行业，扩散现象被大规模用于制造p-n结，扩散工艺又被成为掺杂，意即将一种物质掺入另一种物质，从而形成p-n结。制作p-n结的主要方法有合金法、扩散法、生长法和离子注入法等。在大规模生产的晶体硅太阳能电池制造工艺中，主要采用扩散法制作电池片的p-n结，将电池片加热到800℃以上，使用氮气携带三氯氧磷（化学分子式POCl3，无色透明发烟液体，分子量约153.33）或三溴化硼扩散掺杂，通常的工艺过程包括进料、升温、通源、推进、降温、取料等步骤。

         扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。