扩散炉的特点

   扩散炉是一种集成电路生产线过程的重要工艺设备,其主要目的是掺杂半导体,即高温条件下的扩散到硅掺杂材料,以改变和控制类型、杂质的浓度和分布在半导体,为了建立不同区域的电特性。虽然一些过程可以通过离子注入进行掺杂，但热扩散仍然是最重要和最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，并生成一层二氧化硅薄膜。氧化法有两种氧化法和水汽氧化法(包括氢氧化物的合成)。扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必要设备。扩散炉是半导体集成电路技术的基本设备，与半导体技术相互依赖，共同促进和发展。扩散炉的特点

  1。主要发动机为卧式一至四管式炉系统结构，独立完成不同工序或相同工序
  2。工业计算机控制系统自动控制炉温、船舶、气体流量、闸门等
  3。使用悬臂式供料器:操作方便、无摩擦污染等
  4。所有关键部件都是进口的，以确保设备的高可靠性
  5。管道采用进口阀门配件，形成气密性、耐腐蚀、无污染(管道采用EP电动抛光管道)，流量控制采用质量流量计(MFC)进口
  6。温度控制温度高，温度控制稳定。
  7。具有电源故障报警、超温报警和超温报警等安全功能

扩散炉的特点

  扩散炉是半导体器件(如晶体管、晶闸管和集成电路)的工艺设备之一，主要用于扩散和氧化过程。扩散炉主要由控制部分、净化部分、电阻加热炉段和气路部分组成。控制部分主要控制船舶的出入口，电阻加热炉主要是扩散炉的温度控制，而气路主要控制扩散源的排放和废气排放。扩散炉是一种自动控制温度的电阻炉。它由温度控制器、晶闸管设备和熔炉组成。该炉由绝缘材料、加热丝和炉管组成。温度控制器的控制装置可以自动控制炉温，使炉温保持稳定，甚至达到技术要求。