扩散路在集成电路生产上的使用

        扩散炉是研制生产晶体管、可控硅和集成电路等半导体器件的工艺设备之一，主要用于扩散和氧化等工序。主要由控制部分、净化部分、电阻加热炉部门、气路部分组成。控制部分主要控制进出口，电阻加热炉主要是控制扩散炉的温度部分，气路主要控制扩散源的流量及尾气的排放量。

       扩散炉是一种能自动控制温度的电阻炉。由温度控制器、可控硅装置和炉体构成。炉体由保温材料、加热丝和炉管组成。温度控制器可控制装置对炉温进行自动控制，使炉膛温度保持稳定、均匀，以满足工艺要求。

        扩散炉主要目的是掺杂半导体，即在高温条件下将掺杂剂材料扩散到硅晶片中，扩散炉以便改变和控制半导体中的杂质类型，浓度和分布以建立不同的电特性的区域。尽管扩散炉的一些工艺可以使用离子注入方法进行掺杂，但扩散炉仍然是重要且常见的掺杂方法。硅的热氧化是使硅晶片的表面在高温下与氧化剂反应以生长一层二氧化硅。扩散炉的氧化方法是干氧氧化和水蒸气氧化，包括氢和氧合成。

        扩散炉是半导体集成电路技术基础设备，扩散炉与半导体技术相互依存，互相促进，共同发展。扩散炉可以在同一设备上实现八项功能测试，包括纳米压痕试验，纳米划痕试验，纳摩擦磨损试验，微米压痕试验，微米刮擦试验，微米摩擦磨损试验，三维表面形貌试验机原子力分析检测功能。扩散炉是世界上通用的纳米机器。扩散炉的机械性能如硬度，弹性模量，应力和应变，蠕变，弹性塑性，粘弹性，疲劳，断裂韧性，屈服强度，膜基粘合力，摩擦系数，磨损率，三维表面形态，粗糙度，平整度，台阶高度，原子微观结构等。