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扩散炉的说明

编辑:青岛育豪微电子设备有限公司  时间:2017-10-13

扩散炉用于扩散, 氧化, 退火, 合金和烧结过程的 LSI, 分立器件, 电力电子, 光电器件和光纤。扩散过程的主要目的是在高温下掺杂半导体晶片, 并将元素磷和硼扩散到硅片中, 从而改变和控制杂质的种类、浓度和分布,扩散炉的说明,半导体为了建立不同的电子特征区域。
最新的低压磷扩散利用低气压环境, 以获得更好的块阻力均匀性和更大的产量, 同时最大限度地减少了环境污染的影响。
氧化过程是使晶片表面在高温和氧化剂的作用下, 生长一层二氧化硅膜。
氧化方法有干湿氧, 湿氧包括水蒸气氧化和氢氧合成两种。
扩散炉有两种类型的垂直扩散炉 (垂直) 和水平扩散炉 (水平)。
扩散炉的说明
立式扩散炉
垂直扩散炉是一种垂直于水平水平的石英船, 更有利于硅片的机械手传动, 在胶片中的工艺参数的一致性较好。
水平扩散炉是一种与水平面平行的石英舟, 一罐4或4以上的工艺炉管, 平均炉管占地面积较小, 工艺参数之间的薄膜比垂直扩散炉好。
            

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