扩散炉炉体

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炉子加热系统

炉子加热系统有六层。顶层设有水冷散热器和排热风机，每层加热炉体之间还设有一层水冷系统，隔离每层炉管温度的相互影响。废气室顶部设有排气口，与外部负压排气管连接后，可将过程中残留的废气带走。中部分为四层，有四个加热炉体，每层由四个斜撑支撑固定，其位置已与推拉船艇系统——螺杆、导轨副传动系统和

气体控制系统

煤气柜分为五层。顶部设有排毒口，排除换源过程中泄漏的有害气体。机柜顶部设有三个工艺气体进气口和一个压缩空气进气口，进气口下方安装有减压阀和截止阀，用于控制和调节进气压力。对应气路，每层都配有相应的电磁阀、气动阀、过滤器、止回阀、质量流量控制器、源瓶冷阱等。机柜底部有质量流量(MFC)控制器电源、控制开关、保险等电路适配器、设备总电源的转接板。

扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光纤等行业的扩散、氧化、退火、合金化和烧结。

扩散工艺的主要目的是在高温下对半导体晶片进行掺杂，即将元素P和B扩散到硅片中，从而改变和控制半导体中杂质的种类、浓度和分布，从而建立电特性的不同区域。

最新的低压磷扩散利用低压气氛可以获得更好的方阻均匀性和更大的生产批量，同时对环境的影响最小。

氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂反应，生长一层二氧化硅薄膜。

氧化方式包括干氧和湿氧，湿氧包括水蒸气氧化和氢氧合成。