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扩散炉

氧化扩散炉

氧化扩散炉
产品详情:

一.设备概述:
 本设备主要用于集成电路、电力电子等行业的电子专用设备,将3-6英寸硅片在通氧气的状态下高温热处理,在硅片表面形成氧化膜的过程,氧化工艺是集成电路工艺中应用最广泛的基础工艺之一,氧化膜的用途广泛,可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层(损伤缓冲层)、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等干氧制程工艺,采用电脑工控机软件控制方式,是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。 
 
 二.设备类型参数:

方式:

左/右手操作方式,大工作台面(侧面采用高效净化)

可配工艺管数量:

1-5管系统 

净化台洁净度:

100级(10000级厂房) 

气体流量控制: 

均用MFC控制 

气路流量设定精度:

±2%FS

送取片方式: 

自动推拉,采用石英浆推拉舟,软着陆方式 

推拉杆行程 

1800mm-2100mm

速度:

20mm-1000mm/min

承重:

≥15kg 

冷却系统:

水冷2-4Kgf/cm2,8L/min;+上接排风冷≈25m3/min; 

使用类型:

3-6寸炉管 3-6

可加工硅片尺寸

3-6英寸 

工作温度: 

500~1100℃ 

炉管有效口径:

¢150-240mm

总功率:

15-28KVA(单管)   保温功率:8-15KVA

三相五线制: 

380V±10%,50Hz±10%,次级线不小于35平方高温线 

报警:

具有超温报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能 

恒温区长度及段数: 

800-1100mm(3-5段控温) 

控温精度:

±1℃(≧1100℃) 

单点温度稳定性: 

±1℃/12h

控温方式: 

工控机 + PLC控制 + 触摸屏 

热偶类型:

热电偶采用S/R型,每管Spike 4-10支热偶 

最大可控升温范围: 

(600~1100℃)0--15℃/min

最大可控降温范围: 

(1100~600℃)0--10℃/min

设备总外形尺寸: 

根据设备配置不同,尺寸有所不同 

三.主要构成:

1、

设备主机

2、

加热系统

3、

排风冷却系统

4、

排毒箱(和设备主机做为一体)

5、

净化工作台

6、

控制系统

7、

自动石英浆推拉舟机构

四.设备主要特点和优势
 1★具有强大的软件功能,友好的人机界面,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间; 
 2★采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化; 
 3★程序可以实现手/自动工作,在停电或中途停机后,再次启动可以根据工艺手动升温,节省工艺时间; 
 4★具有多种工艺管路,可供用户方便选择; 
 5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿,避免环境温度变化,对炉膛温度产生影响,避免层间干扰; 
 6★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制,避免马达丢步,运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期,自动校准位置,有效防止定位偏差; 
 7★气体流量采用数字化精确控制,采用模拟信号闭环控制,强弱电分开,各种数据交互采用标准总线,提高抗干扰能力,保证数据安全;气体打开具有缓启动功能; 
 8★具有多种报警功能及安全保护功能;
 9★恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度; 
 10★压力自动调整技术,将压力参数引入晶体硅氧化工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动。 


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