LPCVD扩散炉

可配工艺管数量：

1-4管系统

可装片数：

200片/管

淀积膜种类

LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅

净化台洁净度：

100级（10000级厂房）

气体流量控制：

均用数字化MFC控制

气路流量设定精度：

±2%FS

气路气密性：

优于1×10-7pa.m3/s

送取片方式：

自动推拉,采用Sic浆推拉舟

推拉杆行程

1800mm-2100mm

速度：

20mm-1000mm/min

装舟方式:

自动装卸石英舟

冷却系统：

水冷2～4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排风冷≈25m3/min；

使用类型：

3-6寸炉管

工作温度：

400～1000℃

炉管有效口径:

￠150-220mm

总功率：

15-25KVA/管   保温功率：8-15KVA/管

三相五线制：

380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线

报警:

具有超温报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能

恒温区长度及段数：

800-1200mm（3-5段控温）

控温精度及长度静态闭管测试：

±1℃（≧800℃）

单点温度稳定性：

静态闭管测试≤±1℃/24h

控温方式：

工控机 + PLC控制 + 触摸屏

热偶类型:

热电偶采用S/R型，每管Spike 4-10支热偶

最大可控升温范围：

(600～1000℃)0--15℃/min

最大可控降温范围：

(1000～600℃)0--10℃/min

真空机组：

初级直连干泵+罗茨泵

系统极限真空度：

优于0.5Pa

抽速：

抽至极限真空时间＜10Min。

工作压力范围：

±0.2Pa/20~133Pa

系统漏气率：

停泵关阀后压升率＜1.6pa/min

设备总外形尺寸：

长*宽*高：6500*1500*3750mm

Si3N4

±3％

±3％

±4％

TEOS-SiO2

±3％

±4％

±4％

Poly-Si

±3％

±4％

±4％

2、

加热系统

3、

排风冷却系统

4、

排毒箱（和设备主机做为一体）

5、

净化工作台

6、

控制系统

7、

自动碳化硅浆推拉舟机构

8、

真空机组系统