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扩散炉

LPCVD扩散炉

LPCVD扩散炉
产品详情:

一. 设备概述:

LPCVD低压化学气相淀积是半导体集成电路制造的重要工序之一,本设备主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相淀积是在低压下进行的,由于气压低,气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大,特别适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的工业化生产专用设备,采用电脑工控机软件控制方式,是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。 

二.设备类型参数:

方式:

左/右手操作方式,大工作台面(侧面采用高效净化)

可配工艺管数量:

1-4管系统

可装片数:

200片/管

淀积膜种类

LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅

净化台洁净度:

100级(10000级厂房)

气体流量控制:

均用数字化MFC控制

气路流量设定精度:

±2%FS

气路气密性:

优于1×10-7pa.m3/s

送取片方式:

自动推拉,采用Sic浆推拉舟

推拉杆行程

1800mm-2100mm

速度:

20mm-1000mm/min

装舟方式:

自动装卸石英舟

冷却系统:

水冷2~4Kgf/cm2,8L/min;+上接排风冷≈25m3/min;

使用类型:

3-6寸炉管

工作温度:

400~1000℃

炉管有效口径:

¢150-220mm

总功率:

15-25KVA/管   保温功率:8-15KVA/管

三相五线制:

380V±10%,50Hz±10%,次级线不小于35平方高温线

报警:

具有超温报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能

恒温区长度及段数:

800-1200mm(3-5段控温)

控温精度及长度静态闭管测试:

±1℃(≧800℃)

单点温度稳定性:

静态闭管测试≤±1℃/24h

控温方式:

工控机 + PLC控制 + 触摸屏

热偶类型:

热电偶采用S/R型,每管Spike 4-10支热偶

最大可控升温范围:

(600~1000℃)0--15℃/min

最大可控降温范围:

(1000~600℃)0--10℃/min

真空机组:

初级直连干泵+罗茨泵

系统极限真空度:

优于0.5Pa

抽速:

抽至极限真空时间<10Min。

工作压力范围:

±0.2Pa/20~133Pa

系统漏气率:

停泵关阀后压升率<1.6pa/min

设备总外形尺寸:

长*宽*高:6500*1500*3750mm

 淀积薄膜均匀性(1500情况下):

薄膜

片内

片间

批间

Si3N4

±3%

±3%

±4%

TEOS-SiO2

±3%

±4%

±4%

Poly-Si

±3%

±4%

±4%

 三、主要构成:

1、

设备主机

2、

加热系统

3、

排风冷却系统

4、

排毒箱(和设备主机做为一体)

5、

净化工作台

6、

控制系统

7、

自动碳化硅浆推拉舟机构

8、

真空机组系统

 四、设备主要特点和优势

 1★具有强大的软件功能,友好的人机界面,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间; 
 2★采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化; 
 3★程序可以实现手/自动工作,在停电或中途停机后,再次启动可以根据工艺手动升温,节省工艺时间; 
 4★具有多种工艺管路,可供用户方便选择; 
 5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿,避免环境温度变化,对炉膛温度产生影响,避免层间干扰; 
 6★推拉舟装载采用Sic悬臂浆,避免与工艺管摩擦产生粉尘,推拉舟运行完一个周期,自动校准位置,有效防止定位偏差; 
 7★气体流量采用数字化精确控制,采用模拟信号闭环控制,强弱电分开,各种数据交互采用标准总线,提高抗干扰能力,保证数据安全;气体打开具有缓启动功能; 
 8★具有多种报警功能及安全保护功能;
 9★恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度;

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